Dyfuzja defektów punktowych w strukturach GaN/InN
| General information - News |
Roman Hrytsak wraz z Kolegami z IWC PAN opublikowali w Computational Materials Science ciekawą pracę, w której zaproponowali mikroskopowy opis procesów przemieszczania się defektów punktowych w warstwowych strukturach półprzewodnikowych GaN/InN.
Z wykorzystaniem atomistycznego modelowania z pierwszych zasad zostały pokazane mechanizmy migracji (dyfuzji) defektów punktowych (VGa, VN, VIn) zachodzące w objętościowych strukturach azotku galu (GaN), azotku indu (InN) oraz na styku (interfejsie InN/GaN) tych dwóch materiałów. W artykule zostało również pokazane jak zmienia się wysokość bariery energetycznej na migrację w zależności od naprężenia studni kwantowej do podłoża (in-plane strain) oraz analiza migracji defektów w różnych kierunkach: wertykalnym [0001] oraz lateralnym [11-20].
Link do artykułu
