Events
Sympozjum Sprawozdawcze IWC PAN za 2020 rok Thursday, 18 February 2021 18:05 |
W dniu 28 stycznia 2021 odbyło się całodniowe Sympozjum Sprawozdawcze z działalności naukowej Instytutu Wysokich Ciśnień PAN w 2020 r. Kierownicy laboratoriów badawczych przedstawili wyniki działalności naukowej w roku 2020 z uwzględnieniem jakości i liczby publikacji naukowych. Ponadto, najciekawsze wyniki zostały zaprezentowane przez wybranych przedstawicieli laboratoriów. Postęp w modelowaniu procesów MOVPEMonday, 08 February 2021 12:14 |
Paweł Kempisty z Laboratorium Krystalizacji NL-3 jest współautorem opublikowanego na początku roku artykułu opisującego postęp w modelowaniu epitaksji związków półprzewodnikowych. Praca ukazała się w Crystal Growth & Design, a jej autorami są: Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, wspomniany Paweł Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta oraz Laureat Nagrody Nobla z dziedziny Fizyki (2014), Hiroshi Amano. Artykuł jest wynikiem współpracy dwóch wiodących japońskich uniwersytetów (Kyushu i Nagoya) oraz naszego Instytutu. Autorzy proponują model opisujący wzrost azotku galu metodą MOVPE. Model ten uwzględnia i łączy następujące procesy w technologii MOVPE: reakcje w fazie gazowej (1), reakcje zachodzące na powierzchni (2) oraz wbudowywanie w warstwę (3). Jako przykład pokazano bardzo istotną domieszkę azotku galu: węgiel, który nieintencjonalnie wbudowuje się w metodzie MOVPE.
Link do artykułu: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.cgd.0c01564 Link do artykułu: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.cgd.0c01564 Defekty punktowe w podłożu niebezpieczne dla studni kwantowych. Dowody eksperymentalne w Scientific Reports.Tuesday, 02 February 2021 11:19 |
W dniu 28.01.2021 r. ukazała się praca Kolegów z NL-12, którzy we współpracy z dr. Grzegorzem Gawlikiem z Łukasiewicz - IMiF i prof. Andrzejem Turosem z NCBJ, przedstawili w bardzo elegancki i przekonujący sposób, dowody eksperymentalne na wpływ defektów punktowych w warstwie podłoża na rozkład studni kwantowych InGaN w wysokich temperaturach.
W opisanym eksperymencie użyto dwóch podłoży GaN:Si/szafir, z których jedno zostało zaimplantowane jonami helu w celu wytworzenia znacznej ilości defektów punktowych. Studnie kwantowe InGaN/GaN wytworzone metodą MOCVD na obu podłożach (nieimplantowanym i implantowanym) były niemal identyczne. Struktury te zostały następnie poddane serii wygrzewań w temperaturach typowych dla wzrostu GaN typu p metodą MOCVD. Wyniki badań fotoluminescencji (PL), dyfrakcji rentgenowskiej (XRD) oraz transmisyjnej mikroskopii elektronowej (TEM) jednoznacznie wskazały na istotną rolę defektów punktowych w dekompozycji termicznej studni kwantowych z dużą zawartością indu. Artykuł został opublikowany w Scientific Reports: |
Dwa zaproszone wykłady na prestiżowym Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by SingularityMonday, 08 February 2021 15:45 |
W dniach 1-3 luty br. odbyły się międzynarodowe wirtualne warsztaty poświecone nauce o materiałach i zaawansowanej elektronice. Warsztaty zorganizowane były przez japońskie akademickie ośrodki naukowe realizujące projekt Singularity. Wśród zaproszonych wykładowców, obok profesorów z Francji, Niemiec, Włoch, Wielkiej Brytanii, USA, Tajwanu, Chin, Hong Kongu, Singapuru i Japonii, znalazło się dwóch pracowników Laboratorium Krystalizacji naszego Instytutu: Michał Boćkowski i Paweł Kempisty.
Jak zwiększyć wydajność azotkowych emiterów światła ? Wysokie ciśnienie pomaga to zrozumieć.Thursday, 04 February 2021 23:05 |
Konstrukcja efektywnych diod elektroluminescencyjnych InGaN/GaN (LED-ów), wymaga określenia wielkości wbudowanego pola elektrycznego, Fint, i znalezienie możliwości jego eliminacji. Jest to bardzo trudne. Duża wartość Fint prowadzi do obniżenia intensywności emitowanego światła i obniżenia jego energii.
W pracy opublikowanej ostatnio przez grupę fizyków z IWC PAN zaproponowano zastosowanie wysokiego ciśnienia hydrostatycznego do badań własności LED-ów. Badania takie pozwalają potwierdzić obecność pola elektrycznego w przyrządach i ewolucji tego pola w funkcji gęstości zasilającego LED prądu. Dyfuzja defektów punktowych w strukturach GaN/InNFriday, 29 January 2021 13:26 |
Roman Hrytsak wraz z Kolegami z IWC PAN opublikowali w Computational Materials Science ciekawą pracę, w której zaproponowali mikroskopowy opis procesów przemieszczania się defektów punktowych w warstwowych strukturach półprzewodnikowych GaN/InN.
Z wykorzystaniem atomistycznego modelowania z pierwszych zasad zostały pokazane mechanizmy migracji (dyfuzji) defektów punktowych (VGa, VN, VIn) zachodzące w objętościowych strukturach azotku galu (GaN), azotku indu (InN) oraz na styku (interfejsie InN/GaN) tych dwóch materiałów. W artykule zostało również pokazane jak zmienia się wysokość bariery energetycznej na migrację w zależności od naprężenia studni kwantowej do podłoża (in-plane strain) oraz analiza migracji defektów w różnych kierunkach: wertykalnym [0001] oraz lateralnym [11-20]. |
Recently added
- Rozstrzygnięcie postępowania RZ-84/2020 na dostawę myjki ultradźwiękowej z akcesoriami
- Zapytanie o cenę za dostawę oprogramowania Overleaf
- Postępowanie ofertowe RZ-13/2021 dostawa komórki efuzyjnej do maszyny MBE oraz trzech tygli z pBN
- Sympozjum Sprawozdawcze IWC PAN za 2020 rok
- Rozstrzygnięcie postępowania RZ-3/2021 na dostawę materiałów eksploatacyjnych do drukarek dla Instytutu Wysokich Ciśnień PAN
Links |
