Events
Get a PhD in physics!!!
Recruitment for
Warsaw Doctoral School of Physical, Chemical and BioMedical Sciences [Warsaw-4-PhD].
The Institute of High Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences (IHPP PAS) announces recruitment to the Warsaw Doctoral School of Physical, Chemical and BioMedical Sciences [Warsaw-4-PhD] for the academic year 2020-2021. Students of the Doctoral School will study at the School for 4 years. Simultaneously, the students will conduct scientific research under the supervision of scientific tutors, independent research workers in the Laboratories of the IHPP PAS. It is assumed that the result of this research will be the preparation and defense of the PhD thesis. Recruitment will begin on May 25, 2020. |
Tracing the evolution of GaN crystal morphology Monday, 04 May 2020 12:16 |
How does the GaN surface change during molecular beam epitaxy and how to imagine the movement of atomic steps? We can trace it using electrochemical etching that is sensitive to doping level. The image presents a side-view of GaN:Si layer after etching with pores that are distributed (a) uniformly or (b) non-uniformly, depending on how the silicon atoms incorporated into the layer. We see that step-bunching during epitaxy induces inhomogeneous incorporation of Si dopant in GaN on nanometer scale. (Read more… ).
Find out more in: „Revealing inhomogeneous Si incorporation into GaN at the nanometer scale by electrochemical etching” M. Sawicka, N. Fiuczek, H. Turski, G. Muziol, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, P. Wolny, and C. Skierbiszewski, Nanoscale 12, 6137 (2020). |
Mechanizmy rekombinacji promienistej i niepromienistej w polarnych i semipolarnych studniach kwantowych InGaN/GaNWednesday, 15 April 2020 00:00 |
W styczniu 2020 r. w czasopiśmie Scientific Reports ukazała się praca dyskutująca mechanizmy rekombinacji w InGaN-owych studniach kwantowych wzrastanych na podłożach GaN o różnej polarności, a co za tym idzie o różnym wbudowanym polu elektrycznym. Naukowcy z grupy NL-15 IWC PAN we współpracy z kolegami z Politechniki Wrocławskiej zbadali wpływ fluktuacji indu oraz wbudowanego pola elektrycznego na własności optyczne studni kwantowych. Link: https://www.nature.com/articles/s41598-020-58295-x
Rezultatem tej pracy jest stwierdzenie, że fluktuacje w skali nanoskopowej występują zarówno w polarnych jak i półpolarnych strukturach kwantowych InGaN/GaN, natomiast dla obu typów polarności, zdecydowanie różnią się wkłady do rekombinacji promienistej takich mechanizmów jak rekombinacja ekscytonowa i rekombinacja plazmy elektrono-dziurowej. Ważnym wynikiem jest pokazanie, że rekombinacja niepromienista skaluje się z polem elektrycznym w sposób podobny do rekombinacji promienistej, utrzymując wewnętrzną sprawność kwantową na zbliżonym poziomie. |
Recently added
- Komunikat nr 2 w przetargu nieograniczonym ZP-168/01/2020
- Wybór najkorzystniejszej oferty w postępowaniu ZP-180/02/2020
- Rozstrzygnięcie postępowania ofertowego RZ-14/2020 na PODŁOŻA GAN UŻYWANE W MASZYNIE DO EPITAKSJI Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH (MBE)
- Otwarcie ofert w postępowaniu ZP-178/02/2020
- Wybór najkorzystniejszej oferty w postępowaniu ZP-177/02/2020
Links |
